由于电力电子器件市场对酸腐蚀硅片的需求，如何制备光泽度较好的酸腐蚀硅片越来受到关注。本文主要介绍了酸腐蚀工艺对腐蚀片光泽度的影响。


 

硅单晶片的表面加工工艺一般分为研磨片、腐蚀片、抛光片等主要成型工艺，由于最终的使用目的不同，以上三种类型的硅片应用在不同的领域。

研磨片一般是在切片的基础上双面研磨50-70um，以去除切片时表面留下的线痕等缺陷；腐蚀片主要是去除研磨片加工时形成的损伤层，常规工艺一般去除30um，酸腐蚀片表面光泽度一般在80-120Gs；抛光片是为了改善腐蚀片的平坦性，通过机械化学抛光进一步去除损伤层，使硅片表面达到镜面效果，有较好的光泽度和较小的粗糙度]。

近年来，有些产品对硅片表面光泽度要求越来越高，其主要是应用硅片表面的镜面效果；在聚焦时降低能耗，一些生物医学领域制造芯片，以及能源领域的可控硅等用途]，因腐蚀片很难达到较好镜面效果，所以这些领域通常使用抛光片；抛光片有较高的表面平整度，较小的粗糙度，较好的镜面效果；但抛光片对加工设备、加工环境和清洗方式、化学辅料等要求较高，相应成本也会较大]，这些领域使用抛光片不仅质量过剩，而且增加了成本负担。为了降低成本，提高硅片表面光泽度，提高工艺技术越来越迫切，随着工艺技术进步，酸腐片的表面光泽度的改善已经得到显著的提高，渐得到改善。

有关学者研究论证，随着腐蚀去除量的增加酸腐片的光泽度越来越大；而随着加工硅片数量的增加酸腐片的光泽度变小。